Slkor(萨科微)
TO-247
¥3.801
24
IGBT类型:FS(场截止),集射极击穿电压(Vces):650V,集电极电流(Ic):20A,耗散功率(Pd):162W
onsemi(安森美)
DPAK
¥4.7858
6020
电压 - 集射极击穿(最大值):400 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):41 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.25V @ 4V,6A,功率 - 最大值:150 W,输入类型:逻辑
ST(意法半导体)
TO-220FP
¥4.116
14
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,15A
Infineon(英飞凌)
TO-220-3-31
¥7.84
201
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):11.7 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):30 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,10A
Infineon(英飞凌)
TO-220-3
¥8.92
498
ST(意法半导体)
DPAK
¥7.9809
6313
电压 - 集射极击穿(最大值):420 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):25 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 4.5V,10A,功率 - 最大值:125 W
Infineon(英飞凌)
TO-220FP-3
¥6.6278
471
ST(意法半导体)
TO-220
¥8.02
320
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):14 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.8V @ 15V,3A,功率 - 最大值:75 W
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥28.22
1
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):225 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.65V @ 15V,75A
SANKEN
TO-3PN
¥8.77
0
停产
Infineon(英飞凌)
TO-263-2
¥8.7765
437
IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):11 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):22 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,4A
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥8.5263
7796
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥16.05
1
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):74 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A,功率 - 最大值:255 W
Slkor(萨科微)
TO-247-3
¥7.28
0
集射极击穿电压(Vces):650V,集电极电流(Ic):40A,正向压降(Vf):1.3V
ST(意法半导体)
TO-247-3
¥16.23
20
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,20A
NCE(无锡新洁能)
TO-247
¥10.1088
1874
ST(意法半导体)
TO-247
¥9.7604
18
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,20A
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥9.7416
225
ST(意法半导体)
TO-220
¥10.26
22
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,10A
停产
ST(意法半导体)
D2PAK
¥9.40695
0
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥10.2933
10
集射极击穿电压(Vces):600V,集电极电流(Ic):53A,耗散功率(Pd):200W,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.8V@30A,15V
ST(意法半导体)
DPAK
¥10.31
10
电压 - 集射极击穿(最大值):450 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):25 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):50 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.25V @ 4V,6A,功率 - 最大值:125 W
onsemi(安森美)
TO-247
¥12.49
100
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,15A
Infineon(英飞凌)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
¥11.2737
10
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,20A
停产
onsemi(安森美)
TO-3PN
¥11.38
598
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):120 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):180 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,60A
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥11.4375
1
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥13.76
142
Infineon(英飞凌)
TO-220FP
¥11.7973
10
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):14 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):45 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,15A,功率 - 最大值:33.3 W
ROHM(罗姆)
TO-247N
¥13.9765
0
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):144 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):320 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,80A
onsemi(安森美)
TO-3PN
¥11.0818
46
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A
ST(意法半导体)
TO-220
¥12.3805
20
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A
ST(意法半导体)
TO-3P
¥13.92
160
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A
停产
onsemi(安森美)
TO-220AB
¥8.1142
17
IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):35 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,10A
Infineon(英飞凌)
TO-247AC-3
¥12.99
-1
Infineon(英飞凌)
TO-220-3
¥10.17
123
停产
onsemi(安森美)
TO-247
¥13.5662
24
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1350 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.65V @ 15V,20A
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥13.86
7
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):90 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,30A
Infineon(英飞凌)
TO-220-3
¥14.1455
3
集射极击穿电压(Vces):650V,集电极电流(Ic):42A,耗散功率(Pd):125W,正向压降(Vf):1.45V@10A
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥13.3294
1440
onsemi(安森美)
TO-247-3LD
¥26.04
30
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,40A
Harting(浩亭)
-
¥15.2
3
onsemi(安森美)
TO-247-G03
¥12.9528
24
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A
ST(意法半导体)
TO-247-4
¥21
52
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):120 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,80A
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥14.8379
10
停产
onsemi(安森美)
TO-220F-3
¥16.52
0
IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):45 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,15A
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥16.5612
169
ST(意法半导体)
TO-247
¥16.95
12
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,20A,功率 - 最大值:200 W
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥13.92
504
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥17.02
168
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥14.88
10063