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商品目录
三极管/MOS管/晶体管
IGBT管/模块
SL20T65FL
厂牌:
Slkor(萨科微)
封装:
TO-247
手册:
市场价:
¥3.801
库存量:
24
热度:
供应商报价
1
描述:
IGBT类型:FS(场截止),集射极击穿电压(Vces):650V,集电极电流(Ic):20A,耗散功率(Pd):162W
FGD3040G2-F085C
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
DPAK
手册:
市场价:
¥4.7858
库存量:
6020
热度:
供应商报价
3
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):400 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):41 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.25V @ 4V,6A,功率 - 最大值:150 W,输入类型:逻辑
STGF15H60DF
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-220FP
手册:
市场价:
¥4.116
库存量:
14
热度:
供应商报价
6
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,15A
IKA10N60TXKSA1
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-220-3-31
手册:
市场价:
¥7.84
库存量:
201
热度:
供应商报价
3
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):11.7 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):30 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,10A
IKP08N65H5
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-220-3
手册:
市场价:
¥8.92
库存量:
498
热度:
供应商报价
2
描述:
STGD18N40LZT4
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
DPAK
手册:
市场价:
¥7.9809
库存量:
6313
热度:
供应商报价
4
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):420 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):25 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 4.5V,10A,功率 - 最大值:125 W
IKA15N65H5
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-220FP-3
手册:
市场价:
¥6.6278
库存量:
471
热度:
供应商报价
3
描述:
STGP3NC120HD
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-220
手册:
市场价:
¥8.02
库存量:
320
热度:
供应商报价
4
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):14 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.8V @ 15V,3A,功率 - 最大值:75 W
IKW75N65ET7XKSA1
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥28.22
库存量:
1
热度:
供应商报价
4
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):225 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.65V @ 15V,75A
MGF65A6H
厂牌:
SANKEN
封装:
TO-3PN
手册:
市场价:
¥8.77
库存量:
0
热度:
供应商报价
描述:
停产
IRGS4B60KD1TRRP
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-263-2
手册:
市场价:
¥8.7765
库存量:
437
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):11 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):22 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,4A
IKW08T120
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥8.5263
库存量:
7796
热度:
供应商报价
3
描述:
IKW40N65H5FKSA1
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥16.05
库存量:
1
热度:
供应商报价
3
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):74 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A,功率 - 最大值:255 W
SL40T65FL
厂牌:
Slkor(萨科微)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥7.28
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
集射极击穿电压(Vces):650V,集电极电流(Ic):40A,正向压降(Vf):1.3V
STGWA20H65DFB2
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥16.23
库存量:
20
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,20A
NCE40TD120VT
厂牌:
NCE(无锡新洁能)
封装:
TO-247
手册:
市场价:
¥10.1088
库存量:
1874
热度:
供应商报价
6
描述:
STGW20V60DF
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-247
手册:
市场价:
¥9.7604
库存量:
18
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,20A
IHW30N65R5
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥9.7416
库存量:
225
热度:
供应商报价
3
描述:
STGP10H60DF
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-220
手册:
市场价:
¥10.26
库存量:
22
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,10A
停产
STGB30H60DFB
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
D2PAK
手册:
市场价:
¥9.40695
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A
IGW30N60TP
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥10.2933
库存量:
10
热度:
供应商报价
2
描述:
集射极击穿电压(Vces):600V,集电极电流(Ic):53A,耗散功率(Pd):200W,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.8V@30A,15V
STGD20N45LZAG
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
DPAK
手册:
市场价:
¥10.31
库存量:
10
热度:
供应商报价
1
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):450 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):25 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):50 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.25V @ 4V,6A,功率 - 最大值:125 W
NGTB15N120FL2WG
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-247
手册:
市场价:
¥12.49
库存量:
100
热度:
供应商报价
3
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,15A
IKB20N60H3ATMA1
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
手册:
市场价:
¥11.2737
库存量:
10
热度:
供应商报价
3
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,20A
停产
FGA6560WDF
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-3PN
手册:
市场价:
¥11.38
库存量:
598
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):120 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):180 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,60A
IHW40N65R5
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥11.4375
库存量:
1
热度:
供应商报价
2
描述:
IKWH40N65WR6
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥13.76
库存量:
142
热度:
供应商报价
1
描述:
IKA15N65F5XKSA1
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-220FP
手册:
市场价:
¥11.7973
库存量:
10
热度:
供应商报价
2
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):14 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):45 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,15A,功率 - 最大值:33.3 W
RGTVX6TS65DGC11
厂牌:
ROHM(罗姆)
封装:
TO-247N
手册:
市场价:
¥13.9765
库存量:
0
热度:
供应商报价
3
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):144 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):320 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,80A
FGA40T65SHD
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-3PN
手册:
市场价:
¥11.0818
库存量:
46
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A
STGP30H60DFB
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-220
手册:
市场价:
¥12.3805
库存量:
20
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A
STGWT40HP65FB
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-3P
手册:
市场价:
¥13.92
库存量:
160
热度:
供应商报价
3
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A
停产
HGTP10N120BN
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-220AB
手册:
市场价:
¥8.1142
库存量:
17
热度:
供应商报价
1
描述:
IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):35 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,10A
IKW15T120
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247AC-3
手册:
市场价:
¥12.99
库存量:
-1
热度:
供应商报价
3
描述:
IKP20N60H3
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-220-3
手册:
市场价:
¥10.17
库存量:
123
热度:
供应商报价
2
描述:
停产
NGTB20N135IHRWG
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-247
手册:
市场价:
¥13.5662
库存量:
24
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1350 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.65V @ 15V,20A
IKWH30N65WR5XKSA1
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥13.86
库存量:
7
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):90 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,30A
IKP20N65H5
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-220-3
手册:
市场价:
¥14.1455
库存量:
3
热度:
供应商报价
3
描述:
集射极击穿电压(Vces):650V,集电极电流(Ic):42A,耗散功率(Pd):125W,正向压降(Vf):1.45V@10A
IKW40N120CS6
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥13.3294
库存量:
1440
热度:
供应商报价
1
描述:
FGHL40T65MQDT
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-247-3LD
手册:
市场价:
¥26.04
库存量:
30
热度:
供应商报价
1
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,40A
IHW20N65R5XKSA1
厂牌:
Harting(浩亭)
封装:
-
手册:
市场价:
¥15.2
库存量:
3
热度:
供应商报价
1
描述:
FGH40T65SHD-F155
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-247-G03
手册:
市场价:
¥12.9528
库存量:
24
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A
STGW80H65DFB-4
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-247-4
手册:
市场价:
¥21
库存量:
52
热度:
供应商报价
1
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):120 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,80A
IKW25T120
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥14.8379
库存量:
10
热度:
供应商报价
2
描述:
停产
FGPF15N60UNDF
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-220F-3
手册:
市场价:
¥16.52
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):45 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,15A
IGW40N60H3
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥16.5612
库存量:
169
热度:
供应商报价
2
描述:
STGW30NC60WD
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-247
手册:
市场价:
¥16.95
库存量:
12
热度:
供应商报价
4
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,20A,功率 - 最大值:200 W
IKW30N65H5
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥13.92
库存量:
504
热度:
供应商报价
5
描述:
IGW25T120
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥17.02
库存量:
168
热度:
供应商报价
2
描述:
IKW75N60H3
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥14.88
库存量:
10063
热度:
供应商报价
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