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STGP30M65DF2
ST(意法半导体)
TO-220
IGBT管/模块
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：120 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，30A
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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STGP30M65DF2
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ST(意法半导体)
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TO-220
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1000+:￥8.56 500+:￥8.8 100+:￥9.2 50+:￥10.4 |
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立即发货
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立创商城
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STGP30M65DF2
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ST(意法半导体)
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TO-220
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100+:￥10.092 30+:￥10.092 10+:￥10.092 1+:￥10.092 |
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20+/21+
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在芯间
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STGP30M65DF2
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意法半导体(ST)
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TO-220
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100+:￥17.16 30+:￥20.592 10+:￥25.74 1+:￥30.888 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 60 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 120 A |
| 不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)（最大值） | 2V @ 15V，30A |
| 功率 - 最大值 | 258 W |
| 开关能量 | 300µJ（开），960µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 80 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 31.6ns/115ns |
| 测试条件 | 400V，30A，10 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 140 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |