停产
IKD04N60RF
Infineon(英飞凌)
TO-252-3
¥4.71
10,030
IGBT管/模块
IGBT 类型:沟道,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):12 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,4A
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
IKD04N60RF
英飞凌(INFINEON)
TO-252

1000+:¥26.5882

100+:¥31.9058

10+:¥37.2235

1+:¥48.8558

10000

-
IKD04N60RF
Infineon(英飞凌)
TO-252-3

30+:¥4.71

10+:¥4.79

1+:¥4.9

30

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
IGBT 类型 沟道
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 8 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 12 A
不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)(最大值) 2.5V @ 15V,4A
功率 - 最大值 75 W
开关能量 110µJ
输入类型 标准
栅极电荷 27 nC
25°C 时 Td(开/关)值 12ns/116ns
测试条件 400V,4A,43 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 34 ns
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63