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DMN3016LFDE-7
DIODES(美台)
UDFN2020-6
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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DMN3016LFDE-7
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DIODES(美台)
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U-DFN2020-6
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3000+:￥0.635 1+:￥0.683 |
4215 |
25+
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圣禾堂
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DMN3016LFDE-7
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Diodes(美台)
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UDFN2020-6-EP
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3000+:￥0.6604 1+:￥0.71032 |
4187 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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DMN3016LFDE-7
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Diodes(达尔)
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UDFN
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3000+:￥0.6985 1500+:￥0.7513 200+:￥0.8624 50+:￥1.122 |
4190 |
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3天-15天
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唯样商城
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DMN3016LFDE-7
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DIODES(美台)
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UDFN2020-6
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500+:￥0.8051 150+:￥0.9665 50+:￥1.0957 5+:￥1.3974 |
1680 |
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立创商城
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DMN3016LFDE-7
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美台(DIODES)
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UDFN2020-6-EP
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150+:￥1.5531 50+:￥1.8637 5+:￥2.7956 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 12 毫欧 @ 11A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 25.1 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1415 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 730mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-PowerUDFN |