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HSK10N06
HUASHUO(华朔)
SOT-89
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：40mΩ@10V,10A
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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HSK10N06
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HUASHUO(华朔)
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SOT-89
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150+:￥0.8699 50+:￥0.9887 5+:￥1.2659 |
405 |
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立即发货
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 10A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V,10A |