ZXM61P02FTA
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.4356
95,154
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):900mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.7V,4.5V
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ZXM61P02FTA
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.4356

6000+:¥0.4703

3000+:¥0.495

800+:¥0.693

200+:¥0.99

10+:¥1.5345

12000

-
ZXM61P02FTA
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.44

1+:¥0.471

23951

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ZXM61P02FTA
Diodes(美台)
SOT-23-3

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1+:¥0.48984

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ZXM61P02FTA
DIODES(美台)
SOT-23

3000+:¥0.4671

500+:¥0.5223

150+:¥0.5914

50+:¥0.6834

5+:¥0.8676

4725

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ZXM61P02FTA
DIODES INCORPORATED
SOT-23

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1+:¥0.7374

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规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 900mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.7V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 600 毫欧 @ 610mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 3.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 150 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 625mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3