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RTR025N03TL
ROHM(罗姆)
TSMT-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
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价格(含税)
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ROHM(罗姆)
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TSMT3
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34+:￥0.6778 5+:￥0.9241 |
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华秋商城
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RTR025N03TL
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ROHM(罗姆)
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TSMT-3
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30+:￥0.6847 10+:￥0.7711 1+:￥0.9727 |
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立创商城
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ROHM(罗姆)
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TSMT3
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3000+:￥0.421 1+:￥0.451 |
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圣禾堂
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ROHM(罗姆)
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SOT-346T-3
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3000+:￥0.43784 1+:￥0.46904 |
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1-2工作日发货
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硬之城
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RTR025N03TL
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ROHM(罗姆)
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SOT-346T-3
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3000+:￥0.43784 1500+:￥0.46904 200+:￥0.51584 1+:￥0.7488 |
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硬之城
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 92 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 4.6 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | 12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 220 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-96 |