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IRF5803TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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价格(含税)
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IRF5803TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TSOP-6
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3000+:￥0.7837 500+:￥1.0754 150+:￥1.1583 50+:￥1.2248 5+:￥1.3799 |
3630 |
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英飞凌(INFINEON)
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TSOP-6-1.5mm
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30000+:￥0.803 6000+:￥0.8669 3000+:￥0.9125 800+:￥1.2775 200+:￥1.825 10+:￥2.9702 |
12000 |
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油柑网
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INFINEON
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1+:￥1.0872 |
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京北通宇
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Infineon(英飞凌)
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100+:￥1.2 30+:￥1.293 10+:￥1.367 1+:￥1.54 |
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20+/21+
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Infineon(英飞凌)
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3000+:￥0.684 1+:￥0.811 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 112 毫欧 @ 3.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 37 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1110 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |