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RJP020N06T100
ROHM(罗姆)
SOT-89
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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RJP020N06T100
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ROHM(罗姆)
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MPT3(SOT-89)
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1000+:￥0.55 1+:￥0.597 |
89893 |
25+
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圣禾堂
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RJP020N06T100
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ROHM(罗姆)
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SOT-89-3
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1000+:￥0.572 1+:￥0.62088 |
89890 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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ROHM(罗姆)
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MPT
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1000+:￥0.6116 80+:￥0.6633 |
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3天-15天
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唯样商城
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ROHM(罗姆)
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SOT-89
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1000+:￥0.7428 150+:￥0.8937 50+:￥1.0147 5+:￥1.2969 |
1075 |
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立创商城
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RJP020N06T100
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ROHM(罗姆)
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SOT-89-3
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500+:￥1.11 100+:￥1.54 20+:￥1.55 1+:￥2.22 |
1250 |
21+/20+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 240 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 10 nC @ 4 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 160 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-243AA |