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DMN6068LK3-13
DIODES(美台)
TO-252
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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DMN6068LK3-13
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DIODES(美台)
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TO252
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2500+:￥0.84 1+:￥0.89 |
5834 |
25+
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圣禾堂
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DMN6068LK3-13
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Diodes(达尔)
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DPAK
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2500+:￥0.924 1250+:￥0.979 100+:￥1.122 40+:￥1.463 |
5834 |
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3天-15天
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美台(DIODES)
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TO-252-2(DPAK)
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25000+:￥1.0197 5000+:￥1.1009 2500+:￥1.1588 800+:￥1.6223 200+:￥2.3176 10+:￥3.7719 |
7500 |
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油柑网
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DMN6068LK3-13
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DIODES(美台)
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TO-252
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500+:￥1.2042 150+:￥1.4296 50+:￥1.6102 5+:￥2.0317 |
640 |
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DIODES(美台)
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TO-252-2(DPAK)
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500+:￥1.32 150+:￥1.46 50+:￥1.62 5+:￥2.03 |
3625 |
23+/24+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 68 毫欧 @ 12A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 10.3 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 502 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.12W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |