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SQ2362ES-T1_GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.3A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SQ2362ES-T1_GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥0.95 1+:￥1.04 |
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23+
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立即发货
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圣禾堂
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SQ2362ES-T1_GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23
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3000+:￥0.988 1+:￥1.0816 |
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23+
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1-2工作日发货
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硬之城
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SQ2362ES-T1_GE3
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威世(VISHAY)
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SOT-23
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30000+:￥1.045 6000+:￥1.1281 3000+:￥1.1875 800+:￥1.6625 200+:￥2.375 10+:￥3.8654 |
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油柑网
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SQ2362ES-T1_GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:￥1.045 1500+:￥1.144 750+:￥1.21 100+:￥1.353 30+:￥1.694 |
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3天-15天
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唯样商城
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SQ2362ES-T1_GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23(SOT-23-3)
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100+:￥1.091 30+:￥1.313 10+:￥1.491 1+:￥1.906 |
7270 |
20+/21+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.3A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 95 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 12 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 550 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 3W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |