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ZXMP6A17E6TA
DIODES(美台)
SOT-26
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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交期
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ZXMP6A17E6TA
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DIODES(美台)
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SOT26
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3000+:￥0.77 1+:￥0.831 |
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22+
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圣禾堂
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ZXMP6A17E6TA
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DIODES(美台)
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SOT-26
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3000+:￥0.8042 500+:￥0.8894 150+:￥1.0809 50+:￥1.2343 5+:￥1.5924 |
3845 |
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立创商城
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Diodes(达尔)
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SOT-26
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100+:￥1.21 40+:￥1.562 |
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3天-15天
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唯样商城
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ZXMP6A17E6TA
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美台(DIODES)
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SOT-26
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30000+:￥0.8248 6000+:￥0.8904 3000+:￥0.9373 800+:￥1.3122 200+:￥1.8746 10+:￥3.0509 |
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油柑网
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ZXMP6A17E6TA
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Diodes Incorporated
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SOT-26
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60000+:￥0.7935 30000+:￥0.8004 15000+:￥0.8142 3000+:￥0.8556 |
57000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 125 毫欧 @ 2.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 17.7 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 637 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.1W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |