咨询/建议
AON6566-HXY
华轩阳
DFN5X6-8L
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：6mΩ@10V,20A
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
AON6566-HXY
|
HXY MOSFET(华轩阳电子)
|
DFN5X6-8L
|
500+:￥0.4431 150+:￥0.45 50+:￥0.457 5+:￥0.4674 |
0 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 80A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V,20A |