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IRFL4310TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-223
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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IRFL4310TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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SOT-223
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2500+:￥1.12 1+:￥1.19 |
20411 |
25+
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圣禾堂
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IRFL4310TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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SOT-223
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2500+:￥1.1544 1+:￥1.2272 |
20100 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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IRFL4310TRPBF
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英飞凌(INFINEON)
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SOT-223
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25000+:￥1.243 5000+:￥1.3419 2500+:￥1.4125 800+:￥1.9775 200+:￥2.825 10+:￥4.5977 |
20000 |
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油柑网
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IRFL4310TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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SOT223
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500+:￥1.53 100+:￥1.96 20+:￥2.26 1+:￥3.08 |
3562 |
21+
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在芯间
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IRFL4310TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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SOT-223
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500+:￥1.9107 10+:￥2.3616 1+:￥2.8992 |
300 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 200 毫欧 @ 1.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 25 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 330 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |