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TPN2R203NC,L1Q
TOSHIBA(东芝)
TSON-8(3.1x3.1)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：45A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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TPN2R203NC,L1Q(M
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Toshiba(东芝)
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3000+:￥1.3208 1+:￥1.3832 |
995 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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TPN2R203NC,L1Q(M
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TOSHIBA(东芝)
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TSON-8(3.1x3.1)
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1000+:￥1.48 500+:￥1.58 100+:￥1.74 30+:￥2.11 10+:￥2.41 1+:￥3.1 |
5374 |
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立即发货
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立创商城
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TPN2R203NC,L1Q(M
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TOSHIBA(东芝)
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TSON-8
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100+:￥1.219 30+:￥1.219 10+:￥1.219 1+:￥1.219 |
0 |
20+/21+
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在芯间
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TPN2R203NC,L1Q(M
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东芝(TOSHIBA)
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TSON-8(3.1x3.1)
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1000+:￥2.6133 500+:￥3.0053 100+:￥3.2666 30+:￥3.6586 10+:￥4.4426 1+:￥5.2266 |
0 |
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油柑网
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TPN2R203NC,L1Q
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东芝(TOSHIBA)
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TSON-8(3.1x3.1)
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50000+:￥13.673 10000+:￥14.7606 5000+:￥15.5375 1000+:￥21.7525 300+:￥31.075 10+:￥48.1663 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 45A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.2 毫欧 @ 22.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 500µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 34 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2230 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 700mW（Ta），42W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |