BSC109N10NS3G
Infineon(英飞凌)
TDSON-8(5x6)
¥2.75
51,677
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,连续漏极电流(Id):63A,导通电阻(RDS(on)):22mΩ@6V,23A
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BSC109N10NS3G
Infineon(英飞凌)
TDSON-8(5x6)

500+:¥2.75

100+:¥3.05

30+:¥3.57

10+:¥4.09

1+:¥5.12

813

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BSC109N10NS3G
Infineon(英飞凌)
PDFN-8(5.2x6.2)

500+:¥2.98

100+:¥3.54

20+:¥4.12

1+:¥5.15

864

22+
BSC109N10NS3G
英飞凌(INFINEON)
TDSON-8

50000+:¥3.7291

10000+:¥4.0257

5000+:¥4.2376

1000+:¥5.9326

300+:¥8.4752

10+:¥13.7934

50000

-

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id) 63A
导通电阻(RDS(on)) 22mΩ@6V,23A