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DMTH8003SPS-13
DIODES(美台)
PowerDI5060-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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DMTH8003SPS-13
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DIODES(美台)
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PowerDI5060-8
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1000+:￥1.4283 500+:￥1.4688 100+:￥1.5579 30+:￥1.7577 10+:￥2.6529 1+:￥3.9339 |
440 |
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立创商城
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DMTH8003SPS-13
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DIODES(美台)
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PowerDI5060-8
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2500+:￥2.6 1+:￥2.71 |
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21+
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圣禾堂
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DMTH8003SPS-13
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美台(DIODES)
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PowerDI5060-8
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25000+:￥2.86 5000+:￥3.0875 2500+:￥3.25 800+:￥4.55 200+:￥6.5 10+:￥10.5788 |
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油柑网
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Diodes(达尔)
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PowerDI5060-8(K 类)
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100+:￥3.278 20+:￥3.938 |
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唯样商城
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DMTH8003SPS-13
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DIODES(美台)
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PowerDI5060-8
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500+:￥4.01 100+:￥5.26 20+:￥6.33 1+:￥7.42 |
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.9 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 124.3 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 8952 pF @ 40 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.9W |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |