咨询/建议
FDN335N
UMW(友台半导体)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
FDN335N
|
UMW(友台半导体)
|
SOT-23
|
3000+:￥0.131 1+:￥0.148 |
4296 |
2年内
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
FDN335N
|
UMW(广东友台半导体)
|
SOT-23
|
3000+:￥0.13624 1+:￥0.15392 |
4291 |
2年内
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
FDN335N(UMW)
|
UMW(友台半导体)
|
SOT-23
|
9000+:￥0.1423 6000+:￥0.1533 3000+:￥0.1752 300+:￥0.2172 100+:￥0.2537 10+:￥0.3269 |
7130 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
FDN335N
|
UMW(友台)
|
SOT-23
|
3000+:￥0.1965 1500+:￥0.222 200+:￥0.255 150+:￥0.3419 |
4296 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
|
FDN335N
|
UMW(友台)
|
SOT-23
|
1200+:￥0.2043 600+:￥0.2063 100+:￥0.241 10+:￥0.3106 |
1165 |
-
|
立即发货
|
华秋商城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 70 毫欧 @ 1.7A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 3.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 310 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |