RUM002N05T2L
ROHM(罗姆)
SOT-723
¥0.1741
94,060
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):50 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V,4.5V
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RUM002N05T2L
罗姆(ROHM)
SOT-723

80000+:¥0.1741

16000+:¥0.1879

8000+:¥0.1978

5000+:¥0.2769

2000+:¥0.3956

1000+:¥0.6439

40000

-
RUM002N05T2L
ROHM(罗姆)
VMT

8000+:¥0.179

32000

-
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RUM002N05T2L
ROHM(罗姆)
SOT-723

5000+:¥0.2027

1000+:¥0.2282

300+:¥0.2602

100+:¥0.3027

10+:¥0.3879

7050

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ROHM(罗姆)
VMT

8000+:¥0.4137

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1+:¥1.0715

7600

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3天-5天
RUM002N05T2L
ROHM(罗姆)
VMT

5000+:¥0.8652

4000+:¥0.8652

1000+:¥0.9447

500+:¥1.0442

300+:¥1.1404

100+:¥1.7728

80+:¥2.0028

7401

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 200mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.2V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 25 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 150mW(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-723