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1N60G
华轩阳
SOT-223
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：600V，连续漏极电流(Id)：1A，导通电阻(RDS(on))：9.5Ω@10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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1N60G
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HXY MOSFET(华轩阳电子)
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SOT-223
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5000+:￥0.2679 2500+:￥0.2843 500+:￥0.3434 150+:￥0.4047 50+:￥0.4623 5+:￥0.5775 |
13560 |
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立即发货
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立创商城
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1N60G
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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
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SOT-223
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7500+:￥0.276 5000+:￥0.2832 2500+:￥0.288 |
720000 |
24+
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5-7工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 600V |
| 连续漏极电流(Id) | 1A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5Ω@10V |