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DMN2990UFA-7B
DIODES(美台)
XFDFN-3(0.6x0.8)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：510mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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DMN2990UFA-7B
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DIODES(美台)
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XFDFN-3(0.6x0.8)
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10000+:￥0.1741 5000+:￥0.1853 1000+:￥0.2114 300+:￥0.2394 100+:￥0.2768 10+:￥0.3515 |
12900 |
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立创商城
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DMN2990UFA-7B
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美台(DIODES)
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XFDFN-3(0.6x0.8)
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100000+:￥0.187 20000+:￥0.2019 10000+:￥0.2125 1000+:￥0.2975 300+:￥0.425 10+:￥0.6588 |
20000 |
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油柑网
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DMN2990UFA-7B
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DIODES(美台)
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X2DFN08063
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10000+:￥0.154 1+:￥0.17 |
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圣禾堂
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 510mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 990 毫欧 @ 100mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 0.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 27.6 pF @ 16 V |
| 功率耗散（最大值） | 400mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |