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FDD6685
onsemi(安森美)
TO-252(DPAK)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Ta），40A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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FDD6685
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onsemi(安森美)
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TO-252(DPAK)
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1000+:￥2.6235 500+:￥2.7918 100+:￥3.3462 30+:￥3.91 10+:￥4.45 1+:￥5.53 |
1089 |
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立即发货
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立创商城
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onsemi(安森美)
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TO-252(DPAK)
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500+:￥2.82 100+:￥3.37 20+:￥4.24 1+:￥5.48 |
1030 |
21+/22+
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在芯间
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FDD6685
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ON(安森美)
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TO-252-3
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5000+:￥2.92325 1000+:￥2.9645 500+:￥3.00575 100+:￥3.0415 10+:￥3.08 |
41409 |
25+
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现货
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硬之城
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FDD6685
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安森美(onsemi)
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TO-252
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25000+:￥4.3999 5000+:￥4.7499 2500+:￥4.9999 800+:￥6.9999 200+:￥9.9998 10+:￥16.2747 |
3508 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A（Ta），40A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 11A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 24 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1715 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 52W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |