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STL130N6F7
ST(意法半导体)
PowerFLAT-5x6
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：130A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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STL130N6F7
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ST(意法半导体)
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PowerFLAT-5x6
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1000+:￥1.64 500+:￥1.73 100+:￥2.16 30+:￥2.48 10+:￥2.8 1+:￥3.45 |
2567 |
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ST(意法半导体)
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PowerFLAT-5x6
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500+:￥2.05 100+:￥3.08 20+:￥3.68 1+:￥5.15 |
3200 |
21+
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意法半导体(ST)
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PowerFLAT-5x6
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30000+:￥2.486 6000+:￥2.6838 3000+:￥2.825 800+:￥3.955 200+:￥5.65 10+:￥9.1954 |
646783 |
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油柑网
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ST(意法半导体)
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1000+:￥1.6588 500+:￥1.731 100+:￥1.8752 30+:￥2.0195 1+:￥2.0916 |
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ST(意法半导体)
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Power
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20+:￥2.618 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 130A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.5 毫欧 @ 13A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 42 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2600 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 4.8W（Ta），125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |