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STD35P6LLF6
ST(意法半导体)
TO-252(DPAK)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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STD35P6LLF6
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ST(意法半导体)
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TO-252(DPAK)
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1000+:￥2.83 500+:￥3.0 100+:￥3.33 30+:￥3.89 10+:￥4.45 1+:￥5.57 |
2093 |
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立创商城
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意法半导体(ST)
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TO-252-2(DPAK)
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25000+:￥3.2318 5000+:￥3.4889 2500+:￥3.6725 800+:￥5.1415 200+:￥7.345 10+:￥11.954 |
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油柑网
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ST(意法半导体)
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TO-252-2(DPAK)
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100+:￥3.71 30+:￥4.33 10+:￥4.95 1+:￥6.2 |
800 |
20+/21+
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在芯间
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ST(意法半导体)
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DPAK
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2500+:￥2.43 1+:￥2.54 |
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2500+:￥2.5272 1+:￥2.6416 |
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1-2工作日发货
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 35A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 28 毫欧 @ 17.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 30 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3780 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 70W（Tc） |
| 工作温度 | 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |