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SIR182DP-T1-RE3
VISHAY(威世)
PowerPAKSO-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：7.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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交期
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渠道
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VISHAY(威世)
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PowerPAK® SO-8
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3000+:￥2.83 1+:￥2.95 |
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圣禾堂
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1000+:￥2.8785 500+:￥3.0495 100+:￥3.781 30+:￥4.56 10+:￥5.14 1+:￥6.31 |
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3000+:￥2.9432 1+:￥3.068 |
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100+:￥3.674 20+:￥4.411 |
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威世(VISHAY)
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PowerPAK-SO-8
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30000+:￥3.7291 6000+:￥4.0257 3000+:￥4.2376 800+:￥5.9326 200+:￥8.4752 10+:￥13.7934 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 7.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.8 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.6V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 64 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3250 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 69.4W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |