IRFR3806TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252
¥1.62
21,799
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):43A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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IRFR3806TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252-3(DPAK)

2000+:¥1.62

1+:¥1.7

5050

2年内
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IRFR3806TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252-2(DPAK)

2000+:¥1.6848

1+:¥1.768

5048

2年内
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IRFR3806TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252

1000+:¥1.69

500+:¥1.8

100+:¥2.45

30+:¥2.79

10+:¥3.14

1+:¥3.82

2935

-
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IRFR3806TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252

500+:¥1.705

100+:¥1.717

21+:¥2.03

1+:¥2.32

3250

17+
IRFR3806TRPBF
英飞凌(INFINEON)
TO-252

20000+:¥1.7149

4000+:¥1.8514

2000+:¥1.9488

500+:¥2.7283

200+:¥3.8976

10+:¥6.3433

4000

-

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 43A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 15.8 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 30 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1150 pF @ 50 V
功率耗散(最大值) 71W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63