VBE1302
VBsemi(微碧)
TO-252
¥3.135
780
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):120A,导通电阻(RDS(on)):2.3mΩ@10V;3.2mΩ@4.5V
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渠道
VBE1302
VBsemi(微碧半导体)
TO-252

1000+:¥3.135

500+:¥3.3155

100+:¥4.085

30+:¥4.6835

10+:¥5.2915

1+:¥6.498

424

-
立即发货
VBE1302
VBsemi(微碧)
TO-252

100+:¥3.543

30+:¥3.6

10+:¥3.658

1+:¥3.733

356

20+/21+
VBE1302
VBsemi/微碧半导体
TO-252

2500+:¥2.9499

300+:¥3.0384

100+:¥3.0974

30+:¥3.6874

10+:¥4.1594

1+:¥5.2214

50

23+
1工作日
VBE1302
VBsemi/微碧半导体
TO-252

2500+:¥3.1025

500+:¥3.2436

100+:¥3.5256

10+:¥3.8076

400000

25+
4-6工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 120A
导通电阻(RDS(on)) 2.3mΩ@10V;3.2mΩ@4.5V