DMG6968U-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.25
43,105
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
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DMG6968U-7
DIODES(美台)
SOT-23

6000+:¥0.25

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150+:¥0.3416

50+:¥0.3972

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DMG6968U-7
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.2601

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200+:¥0.5912

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DIODES(美台)
SOT23

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Diodes(美台)
SOT-23,SOT-23-3

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DMG6968U-7
Diodes(达尔)
SOT-23

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规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 25 毫欧 @ 6.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 8.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 151 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 1.3W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3