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NTTFS4C25NTWG
onsemi(安森美)
WDFN-8(3.3x3.3)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A（Ta），27A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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NTTFS4C25NTWG
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onsemi(安森美)
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WDFN-8(3.3x3.3)
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5000+:￥0.846 2500+:￥0.87 500+:￥0.9099 150+:￥1.0651 50+:￥1.1369 5+:￥1.3045 |
58495 |
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立创商城
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NTTFS4C25NTWG
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安森美(onsemi)
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WDFN-8(3.3x3.3)
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5000+:￥1.3903 2500+:￥1.5988 500+:￥1.7379 150+:￥1.9464 50+:￥2.3635 5+:￥2.7806 |
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油柑网
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NTTFS4C25NTWG
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ON(安森美)
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WDFN-8
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5000+:￥2.71 1+:￥2.83 |
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圣禾堂
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A（Ta），27A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 17 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 10.3 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 500 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 690mW（Ta），20.2W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |