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DMP3125L-7
DIODES(美台)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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价格(含税)
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DMP3125L-7
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DIODES INCORPORATED
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1000+:￥0.2882 100+:￥0.3038 1+:￥0.3332 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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DIODES(美台)
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SOT23
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3000+:￥0.31 1+:￥0.332 |
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2年内
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圣禾堂
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DIODES(美台)
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SOT-23
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6000+:￥0.3205 3000+:￥0.3437 500+:￥0.3902 150+:￥0.4482 50+:￥0.5256 5+:￥0.6804 |
12130 |
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立创商城
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Diodes(美台)
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SOT-23
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3000+:￥0.3224 1+:￥0.34528 |
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2年内
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硬之城
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DIODES(美台)
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SOT-23
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3000+:￥0.33 1200+:￥0.3708 600+:￥0.3746 50+:￥0.5046 5+:￥0.6532 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 95 毫欧 @ 3.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 3.1 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 254 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 650mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |