IRLR7843TRPBF-HXY
华轩阳
TO-252-2L
¥1.183
835
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):120A,导通电阻(RDS(on)):3mΩ@10V,20A
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IRLR7843TRPBF-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
TO-252-2L

1000+:¥1.183

500+:¥1.232

100+:¥1.82

30+:¥1.988

10+:¥2.156

1+:¥2.499

835

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 120A
导通电阻(RDS(on)) 3mΩ@10V,20A