BSS123W-7-F
DIODES(美台)
SC-70,SOT-323
¥0.127
55,596
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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BSS123W-7-F
DIODES(美台)
SOT323

3000+:¥0.127

1+:¥0.142

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2年内
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BSS123W-7-F
Diodes(美台)
SOT-323-3

3000+:¥0.13208

1+:¥0.14768

16352

2年内
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BSS123W-7-F
美台(DIODES)
SOT-323

30000+:¥0.1522

6000+:¥0.1644

3000+:¥0.173

800+:¥0.2422

100+:¥0.346

20+:¥0.5631

2489

-
BSS123W-7-F
Diodes(达尔)
SOT-323

3000+:¥0.1905

1500+:¥0.213

210+:¥0.246

16354

-
3天-15天
BSS123W-7-F
DIODES(美台)
SOT-323

3000+:¥0.2154

1500+:¥0.2258

600+:¥0.2425

200+:¥0.2635

50+:¥0.2844

10+:¥0.3095

1782

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 170mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 6 欧姆 @ 170mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 60 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 200mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-70,SOT-323