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IPB072N15N3GATMA1
Infineon(英飞凌)
TO-263-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：150 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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IPB072N15N3G
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Infineon(英飞凌)
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TO-263-3
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500+:￥5.32 100+:￥5.78 30+:￥6.83 10+:￥7.76 1+:￥9.45 |
605 |
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立创商城
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IPB072N15N3 G
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英飞凌(INFINEON)
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TO-220
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5000+:￥6.127 1000+:￥6.6144 500+:￥6.9625 200+:￥9.7475 100+:￥13.925 10+:￥22.6629 |
1621 |
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油柑网
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IPB072N15N3G
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英飞凌(INFINEON)
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TO-263-3
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10000+:￥6.215 2000+:￥6.7094 1000+:￥7.0625 500+:￥9.8875 100+:￥14.125 10+:￥22.9884 |
2178 |
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油柑网
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IPB072N15N3 G
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Infineon(英飞凌)
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PG-TO263-3
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1000+:￥6.47 1+:￥6.71 |
1996 |
5年内
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圣禾堂
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IPB072N15N3G
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Infineon(英飞凌)
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SOT404
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200+:￥7.2943 10+:￥8.9137 1+:￥9.4398 |
100 |
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华秋商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 8V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.2 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 270µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 93 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5470 pF @ 75 V |
| 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |