SI2301S
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.0759
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场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):20V,连续漏极电流(Id):2.3A,导通电阻(RDS(on)):140mΩ@3.3V,1A
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SOT-23

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3000+:¥0.07894

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100+:¥0.1353

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规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 2.3A
导通电阻(RDS(on)) 140mΩ@3.3V,1A