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NTF2955T1G
onsemi(安森美)
SOT-223
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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NTF2955T1G
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onsemi(安森美)
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SOT-223
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1000+:￥1.25 500+:￥1.33 100+:￥1.55 30+:￥1.86 10+:￥2.11 1+:￥2.69 |
3106 |
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立即发货
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立创商城
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ON(安森美)
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SOT-223
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1000+:￥1.4 1+:￥1.51 |
5841 |
25+
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圣禾堂
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ON(安森美)
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SOT-223-4
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1000+:￥1.456 1+:￥1.5704 |
5840 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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NTF2955T1G
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ON(安森美)
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SOT-223-4
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1000+:￥1.54 50+:￥1.661 30+:￥2.167 |
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3天-15天
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唯样商城
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NTF2955T1G
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ON(安森美)
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SOT-223
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3000+:￥1.63704 1000+:￥1.66744 500+:￥1.69784 100+:￥1.72672 10+:￥1.748 |
235749 |
25+
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现货
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 185 毫欧 @ 2.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 14.3 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 492 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |