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FDMS86163P
onsemi(安森美)
PQFN-8(4.9x5.8)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.9A（Ta），50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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FDMS86163P
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ON(安森美)
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PQFN-8(5x6)
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3000+:￥3.172 1+:￥3.3072 |
4404 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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FDMS86163P
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ON(安森美)
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PQFN-8(5x6)
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3000+:￥3.189 1000+:￥3.234 500+:￥3.279 100+:￥3.318 10+:￥3.36 |
68848 |
25+
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现货
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硬之城
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FDMS86163P
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安森美(onsemi)
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PQFN-8(4.9x5.8)
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30000+:￥3.355 6000+:￥3.6219 3000+:￥3.8125 800+:￥5.3375 200+:￥7.625 10+:￥12.4097 |
4410 |
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油柑网
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FDMS86163P
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ON(安森美)
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3000+:￥3.355 1500+:￥3.498 750+:￥3.663 100+:￥3.949 20+:￥4.752 |
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3天-15天
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唯样商城
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ON(安森美)
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Power56
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3000+:￥3.54 1+:￥3.67 |
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立即发货
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圣禾堂
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.9A（Ta），50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 22 毫欧 @ 7.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 59 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4085 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），104W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |