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SI2301BDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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SI2301BDS-T1-GE3
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VISHAY
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100+:￥0.9242 1+:￥0.9987 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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SI2301BDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥1.02 1+:￥1.07 |
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圣禾堂
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SI2301BDS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23
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300+:￥1.18 150+:￥1.2345 50+:￥1.3217 10+:￥1.4526 1+:￥1.6161 |
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华秋商城
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SI2301BDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3
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1000+:￥1.3 500+:￥1.68 100+:￥1.8 30+:￥2.09 10+:￥2.32 1+:￥2.86 |
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 2.8A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 10 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 375 pF @ 6 V |
| 功率耗散（最大值） | 700mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |