2N7002HR
Nexperia(安世)
TO-236AB
¥0.0852
38,372
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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2N7002HR
NEXPERIA
SOT23

30000+:¥0.0852

3000+:¥0.0878

1000+:¥0.0902

100+:¥0.0931

1+:¥0.0961

7904

2447
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Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.0949

1+:¥0.12

13773

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Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.0987

1+:¥0.1248

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2N7002HR
安世(Nexperia)
SOT-23

30000+:¥0.1044

6000+:¥0.1127

3000+:¥0.1186

800+:¥0.166

100+:¥0.2372

20+:¥0.3861

7750

-
2N7002HR
Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.1151

1500+:¥0.1324

1000+:¥0.1615

100+:¥0.2067

1+:¥0.2729

4322

-
3天-5天

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 300mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 50 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 830mW(Tc)
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3