DMHT6016LFJ-13
DIODES(美台)
VDFN5045-12
¥4.88
5,413
场效应管(MOSFET)
FET 类型:4 个 N 通道,FET 功能:标准,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.8A(Ta),不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):22 毫欧 @ 10A,10V,不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
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DMHT6016LFJ-13
DIODES(美台)
VDFN5045-12

3000+:¥4.88

1+:¥5.07

2330

25+
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DMHT6016LFJ-13
DIODES(美台)
VDFN5045-12

1000+:¥5.27

500+:¥5.49

100+:¥5.97

30+:¥7.07

10+:¥8.04

1+:¥9.8

2983

-
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DMHT6016LFJ-13
DIODES(美台)
VDFN12

30+:¥7.3

10+:¥8.3

1+:¥9.5

100

-
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DMHT6016LFJ-13
DIODES(美台)
V-DFN5045-12

100+:¥7.062

30+:¥7.062

10+:¥7.062

1+:¥7.062

0

20+/21+
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美台(DIODES)
VDFN5045-12

1000+:¥8.1733

500+:¥9.3993

100+:¥10.2166

30+:¥11.4426

10+:¥13.8946

1+:¥16.3466

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 4 个 N 通道
FET 功能 标准
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 14.8A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 22 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 8.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 864pF @ 30V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 12-VDFN 裸露焊盘