咨询/建议
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA，50mA，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，1V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：12V，耗散功率(Pd)：150mW
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：180mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：200mA，导通电阻(RDS(on))：2.5Ω@2.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：10nA（ICBO）
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：80V，耗散功率(Pd)：500mW
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：50mΩ@4.5V,4A
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 10mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：150 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 5mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：22mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：125mΩ@4.5V,3A，耗散功率(Pd)：350mW
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.6A，导通电阻(RDS(on))：46mΩ@10V；54mΩ@4.5V；49mΩ@6V
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：60V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：500mA，360mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.7 欧姆 @ 500mA，10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：1.2Ω@4.5V,100mA
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.3A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@10V
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：800 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：40mΩ@10V,6A
晶体管类型：2 NPN（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 100mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.13A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：3A，集射极击穿电压(Vceo)：30V，耗散功率(Pd)：10W
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：800 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：125 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：900mV @ 30mA，300mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：27A，导通电阻(RDS(on))：11.5mΩ@10V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：21mΩ@4.5V,20A，耗散功率(Pd)：75W
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：40 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：900 µA @ 20 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：800 mV @ 10 nA，功率 - 最大值：350 mW
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：13mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.1A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：12mΩ@10V；16mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.5A，导通电阻(RDS(on))：32mΩ@4.5V,4.5A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.16A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：145A，导通电阻(RDS(on))：2.5mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：150A，导通电阻(RDS(on))：2.5mΩ@10V，耗散功率(Pd)：43W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：7A，导通电阻(RDS(on))：1.1Ω@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：10 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：360mV @ 1A，10A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.1A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：350mV @ 600mA，6A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A（Ta），20A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：35A，耗散功率(Pd)：52.1W
门极触发电压(Vgt)：1.3V，断态峰值电压(Vdrm)：600V，通态峰值电压(Vtm)：1.55V，浪涌电流：160A@50Hz