咨询/建议
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：50mΩ@4.5V,3A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：210mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：6.2A，导通电阻(RDS(on))：17mΩ@10V；26mΩ@4.5V
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：6.4A，导通电阻(RDS(on))：31mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：1W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：24A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@10V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：10.5A，导通电阻(RDS(on))：14mΩ@10V，耗散功率(Pd)：3.1W
晶体管类型：2 NPN（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，1V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：65mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.6A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@2.5V,4A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：1.7A，导通电阻(RDS(on))：200mΩ@10V,1.7A
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：3A，集射极击穿电压(Vceo)：30V，耗散功率(Pd)：2.5W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：47mΩ@10V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：2A，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：900mW
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，10V
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1.2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：80V，耗散功率(Pd)：1.25W
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：36mΩ@10V；40mΩ@4.5V；48mΩ@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：90A，导通电阻(RDS(on))：3.8mΩ@10V,20A
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：160 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：200mV @ 5mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：26A，导通电阻(RDS(on))：13mΩ@4.5V,8A，耗散功率(Pd)：14W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：35A，导通电阻(RDS(on))：7mΩ@10V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：300 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 2mA，20mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.05A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：25A，耗散功率(Pd)：35W
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：30mΩ@10V,6A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：90mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：600V，连续漏极电流(Id)：21mA，导通电阻(RDS(on))：700Ω@10V,16mA
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：8A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@10V,7A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：35A，导通电阻(RDS(on))：11mΩ@4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：2.3A，导通电阻(RDS(on))：180mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：24A，导通电阻(RDS(on))：10.5mΩ@4.5V,20A
晶体管类型：NPN，电压 - 集射极击穿（最大值）：12V，频率 - 跃迁：8GHz，噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz，增益：10dB ~ 15dB
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：400mA（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：70A，导通电阻(RDS(on))：4.2mΩ@10V，耗散功率(Pd)：42W
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：11mΩ@4.5V,15A