咨询/建议
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.9A（Tj），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
停产
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：300mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3.2A，导通电阻(RDS(on))：115mΩ@2.5V,1A
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：15V，耗散功率(Pd)：2W
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：150mV @ 200mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：23mΩ@10V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：8A，集射极击穿电压(Vceo)：80V，耗散功率(Pd)：50W
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：60A，导通电阻(RDS(on))：8.5mΩ@4.5V,20A
漏源电压(Vdss)：60V，耗散功率(Pd)：2W，阈值电压(Vgs(th))：1.2V，输入电容(Ciss)：1.45nF@20V
电压 - 断态：500 V，电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）：1.5 V，电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）：15 mA，电压 - 通态 (Vtm)（最大值）：1.75 V，电流 - 通态 (It (AV))（最大值）：7.5 A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.7A（Ta），3.6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：1kV，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：5.5Ω@10V,1.5A
门极触发电压(Vgt)：1.3V，保持电流(Ih)：50mA，断态峰值电压(Vdrm)：800V，通态峰值电压(Vtm)：1.55V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：85V，连续漏极电流(Id)：120A，导通电阻(RDS(on))：4.6mΩ@10V,50A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：40A，导通电阻(RDS(on))：58mΩ@6V,15A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：13A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：52mΩ@4.5V,15A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：45A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.2A（Ta），23.6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：28mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：70A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@10V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：300 V，电流 - 集电极截止（最大值）：100µA（ICBO），不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：30 @ 50mA，10V
IGBT类型：FS(场截止)，集射极击穿电压(Vces)：600V，集电极电流(Ic)：20A，耗散功率(Pd)：83W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：1kV，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：7.8Ω@10V,1A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.8A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：75 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：82A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Ta），24A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V，20V
不适用于新设计
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：85A，导通电阻(RDS(on))：8mΩ@4.5V,15A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10.5A（Ta），46A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：240A，导通电阻(RDS(on))：3.3mΩ@10V,80A
晶体管类型：NPN，PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：330mV @ 300mA, 3A / 110mV @ 50mA, 500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：18A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：75 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：170A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：200A，导通电阻(RDS(on))：1.05mΩ@4.5V,30A
双向可控硅类型：标准，电压 - 断态：600 V，电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）：12 A，电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）：1.3 V，电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)：120A，126A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：550 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：13A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：13V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：12.5A，导通电阻(RDS(on))：17mΩ@10V,12.5A