咨询/建议
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 200mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：10 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：8V @ 3.3A，10A，电流 - 集电极截止（最大值）：50µA
漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：108A，导通电阻(RDS(on))：5.9mΩ@10V，耗散功率(Pd)：130W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：65A，导通电阻(RDS(on))：11mΩ@10V,65A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：130A，导通电阻(RDS(on))：3.5mΩ@4.5V,20A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：80V，连续漏极电流(Id)：60A，导通电阻(RDS(on))：8.7mΩ@10V,10A
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：80V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.6A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：73 毫欧 @ 2.2A，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：150 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
停产
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：33A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 600mA，6A，电流 - 集电极截止（最大值）：50µA
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
可控硅类型：1个双向可控硅，门极触发电压(Vgt)：1.3V，断态峰值电压(Vdrm)：600V，门极触发电流(Igt)：50mA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：15 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：3V @ 3.3A，10A，电流 - 集电极截止（最大值）：700µA
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：40A，导通电阻(RDS(on))：14mΩ@10V,10A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：120V，连续漏极电流(Id)：90A，导通电阻(RDS(on))：5.4mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：500 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.1A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 和 P 沟道互补型，FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.1A，3.2A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：55 毫欧 @ 5.1A，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：21A，导通电阻(RDS(on))：150mΩ@10V,10.5A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：23A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：80V，导通电阻(RDS(on))：1.2mΩ@10V,150A，耗散功率(Pd)：375W
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：150mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：200mW
集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：225mW，直流电流增益(hFE)：400@100mA,1V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：PNP，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：300mW，直流电流增益(hFE)：300@150mA,2V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：625mW
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：65 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：65 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：750mV @ 50mA，500mA，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 150mA，1V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：60V，耗散功率(Pd)：350mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：200mW，直流电流增益(hFE)：20@10mA,5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：900mΩ@10V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：340mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：4.7 kOhms
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：150V，耗散功率(Pd)：300mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6.2A，导通电阻(RDS(on))：21.7mΩ@4.5V；29mΩ@2.5V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：800mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：625mW
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：660mA，导通电阻(RDS(on))：510mΩ@4.5V,0.5A
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）