NSS60600MZ4T1G
onsemi(安森美)
SOT-223
¥1.08
20,738
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6 A,电压 - 集射极击穿(最大值):60 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):350mV @ 600mA,6A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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NSS60600MZ4T1G
ON(安森美)
SOT-223-4

1000+:¥1.08

1+:¥1.16

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25+
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NSS60600MZ4T1G
ON(安森美)
SOT-223

1000+:¥1.1232

1+:¥1.2064

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25+
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NSS60600MZ4T1G
onsemi(安森美)
SOT-223

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2000+:¥1.2834

1000+:¥1.3973

150+:¥1.6531

50+:¥1.8581

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-
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NSS60600MZ4T1G
ON(安森美)
TO-261-4,TO-261AA

50+:¥1.276

40+:¥1.661

854

-
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NSS60600MZ4T1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-223

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1+:¥1.5514

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规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 6 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 60 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 350mV @ 600mA,6A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 120 @ 1A,2V
功率 - 最大值 800 mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA