咨询/建议
门极触发电压(Vgt)：1.3V，保持电流(Ih)：15mA，断态峰值电压(Vdrm)：800V，门极触发电流(Igt)：10mA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 600mA，6A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.7A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.2A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：200V，连续漏极电流(Id)：24A，导通电阻(RDS(on))：80mΩ@10V,15A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：35A，导通电阻(RDS(on))：46mΩ@10V；58mΩ@4.5V
电压 - 断态：600 V，电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）：800 mV，电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）：200 µA，电压 - 通态 (Vtm)（最大值）：1.6 V，电流 - 通态 (It (AV))（最大值）：5 A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.3A（Ta），16A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：4V @ 80mA，8A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：71A（Ta），200A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：76A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：25 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：3V，8V
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：10 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：3V @ 40mA，10A，电流 - 集电极截止（最大值）：2mA
集射极击穿电压(Vces)：1.2kV，集电极电流(Ic)：40A，耗散功率(Pd)：278W
停产
IGBT 类型：NPT 和沟道，电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：90 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.65V @ 15V，50A
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：65V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：225mW
耗散功率(Pd)：150mW，直流电流增益(hFE)：68@5mA,5V，最小输入电压(VI(on))：3V@2mA,0.3V，最大输入电压(VI(off))：500mV@100uA,5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100mA，导通电阻(RDS(on))：13Ω@2.5V
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：650mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：65 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：65V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：140V，耗散功率(Pd)：225mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：150mW，直流电流增益(hFE)：80@10mA,5V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：150mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：300V，耗散功率(Pd)：300mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@4.5V；29mΩ@2.5V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：150V，耗散功率(Pd)：625mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：200mA，导通电阻(RDS(on))：1.6Ω@10V；1.7Ω@4.5V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：625mW
数量：1个P沟道，连续漏极电流(Id)：5.1A，导通电阻(RDS(on))：55mΩ@10V,5.1A，工作温度：-55℃~+150℃
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：700mA，导通电阻(RDS(on))：190mΩ@2.5V,550mA
不适用于新设计
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：1.8A，导通电阻(RDS(on))：150mΩ@4.5V,1.8A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：21mΩ@10V；33mΩ@2.5V；25mΩ@4.5V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：15 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 1mA，10mA，电流 - 集电极截止（最大值）：400nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：625mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：187mW，直流电流增益(hFE)：80@10mA,10V