咨询/建议
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 200mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：295mV @ 200mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：40A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@10V,15A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：120A，耗散功率(Pd)：227W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：25 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21A（Ta），60A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，8V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：173A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：16A，集射极击穿电压(Vceo)：230V，耗散功率(Pd)：180W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：80V，连续漏极电流(Id)：200A，导通电阻(RDS(on))：3.5mΩ@10V,100A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：31A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：8.2mΩ@10V,73A
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 35V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：80V，连续漏极电流(Id)：400A，导通电阻(RDS(on))：1.6mΩ@10V,20A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：600V，连续漏极电流(Id)：54A，导通电阻(RDS(on))：31mΩ@10V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：65V，耗散功率(Pd)：300mW
集电极电流(Ic)：150mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：300mW，直流电流增益(hFE)：400@2mA,6V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：150V，耗散功率(Pd)：350mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：300mA，集射极击穿电压(Vceo)：400V，耗散功率(Pd)：350mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：700mA，集射极击穿电压(Vceo)：20V，耗散功率(Pd)：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：200mW，直流电流增益(hFE)：35@5mA,10V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：130mA，导通电阻(RDS(on))：6Ω@5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：200mA，导通电阻(RDS(on))：4Ω@4.5V,0.1A
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：80V，耗散功率(Pd)：200mW
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：180mA，导通电阻(RDS(on))：8Ω@10V,0.1A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：600mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
可控硅类型：1个单向可控硅，保持电流(Ih)：5mA，断态峰值电压(Vdrm)：400V，门极触发电流(Igt)：200uA
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：50 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：130mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：200mA，导通电阻(RDS(on))：5.6Ω@2.75V,200mA
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：50mA，集射极击穿电压(Vceo)：15V，耗散功率(Pd)：310mW
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：200mA，导通电阻(RDS(on))：4Ω@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：31.8mΩ@4.5V,5A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：43mΩ@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
门极触发电压(Vgt)：800mV，保持电流(Ih)：4mA，断态峰值电压(Vdrm)：600V，门极触发电流(Igt)：200uA
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：2.6A，导通电阻(RDS(on))：130mΩ@4.5V,2.1A
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：100V，耗散功率(Pd)：500mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：500mW
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：500mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
漏源电压(Vdss)：600V，连续漏极电流(Id)：30mA，耗散功率(Pd)：500mW，阈值电压(Vgs(th))：1V@8.0uA
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：630mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V