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NTR4003NT3G
onsemi(安森美)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：500mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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NTR4003NT3G
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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10000+:￥0.142 1+:￥0.157 |
3150 |
24+
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圣禾堂
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NTR4003NT3G
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ON(安森美)
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SOT-23
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10000+:￥0.14768 1+:￥0.16328 |
3098 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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NTR4003NT3G
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ON(安森美)
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SOT-23
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10000+:￥0.16478 1000+:￥0.16784 500+:￥0.1709 100+:￥0.1738 10+:￥0.17595 |
2538 |
22+
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现货
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硬之城
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NTR4003NT3G
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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5000+:￥0.2091 1000+:￥0.2312 300+:￥0.2589 100+:￥0.2959 10+:￥0.3698 |
5020 |
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立即发货
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立创商城
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NTR4003NT3G
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ON(安森美)
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TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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500+:￥0.2715 150+:￥0.3523 |
3100 |
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3天-15天
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 500mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 欧姆 @ 10mA，4V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 1.15 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 21 pF @ 5 V |
| 功率耗散（最大值） | 690mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |