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HY4008B
HUAYI(华羿微)
TO-263-2L
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：80V，连续漏极电流(Id)：200A，导通电阻(RDS(on))：3.5mΩ@10V,100A
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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HY4008B
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HUAYI(华羿微)
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TO-263-2L
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800+:￥3.53 500+:￥3.72 100+:￥4.25 30+:￥4.88 10+:￥5.52 1+:￥6.8 |
2638 |
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立即发货
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立创商城
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HY4008B
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HUAYI(华羿微)
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TO-263-2
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100+:￥4.25 30+:￥4.94 10+:￥5.55 1+:￥6.66 |
1937 |
20+/21+
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在芯间
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HY4008B
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HUAYI/西安华羿微电子
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TO-263-2
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4000+:￥3.887 800+:￥4.056 |
8000 |
24+
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5-15工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 80V |
| 连续漏极电流(Id) | 200A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V,100A |