IRFS7537TRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK
¥2.95
10,317
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):173A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
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IRFS7537TRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK

800+:¥2.95

500+:¥3.13

100+:¥4.65

30+:¥5.22

10+:¥5.8

1+:¥6.95

1259

-
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IRFS7537TRLPBF
Infineon(英飞凌)
TO-263-3(D2PAK)

800+:¥2.99

1+:¥3.13

788

25+
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IRFS7537TRLPBF
英飞凌(INFINEON)
TO-263

8000+:¥3.487

1600+:¥3.7644

800+:¥3.9625

400+:¥5.5475

100+:¥7.925

10+:¥12.8979

7000

-
IRFS7537TRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK

30+:¥5.33

10+:¥5.91

1+:¥7.08

1237

20+/21+
IRFS7537TRLPBF
Infineon(英飞凌)
D²PAK

1+:¥4.265

33

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 173A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.3 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.7V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 210 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 7020 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 230W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB