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SSM3K324R,LF
TOSHIBA(东芝)
SOT-23F
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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SSM3K324R,LF
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TOSHIBA(东芝)
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SOT-23F
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9000+:￥0.1803 6000+:￥0.1925 3000+:￥0.217 300+:￥0.2476 100+:￥0.2884 10+:￥0.37 |
59040 |
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SSM3K324R,LF(B
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TOSHIBA(东芝)
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SOT-23F
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3000+:￥0.183 300+:￥0.2081 100+:￥0.2414 10+:￥0.3082 |
3190 |
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SSM3K324R,LF(T
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TOSHIBA
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SOT-23F
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1+:￥0.1862 |
4334 |
2242
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现货最快4H发
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京北通宇
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SSM3K324R,LF(B
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TOSHIBA(东芝)
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SOT-23F-3
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3000+:￥0.2 1+:￥0.226 |
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22+
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圣禾堂
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SSM3K324R,LF(B
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Toshiba(东芝)
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SOT-23F
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3000+:￥0.208 1+:￥0.23504 |
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22+
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1-2工作日发货
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 55 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 190 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 扁平引线 |